شبیه سازی رشد غیر هم خانواده لایه های نازک به روش مونت کارلوی جنبشی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اراک - دانشکده علوم پایه
- نویسنده عصمت اسمعیلی
- استاد راهنما مهران قلی پور شهرکی محمد ابوالحسنی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1389
چکیده
آزاد سازی تنش ایجاد شده ناشی از عدم تطابق لایه و زیرلایه در هنگام رشد غیر هم خانواده نیمه هادی ها منجر به رشد نانوساختارها با ویژگی های خاصی می شود. از جمله این نانوساختارها می توان به نقاط کوانتومی اشاره کرد. اخیراً نقاط کوانتومی به دلیل توسعه لیزرهای مادون قرمز، فوتودیودها، سلول های خورشیدی و تبدیل کننده های فوتوولتاییک مورد تحقیقات گسترده ای قرار گرفته اند. کارایی این ابزارها شدیداً تحت تأثیر عیوب و خواص الکتریکی فصل مشترک قرار می گیرد. فهم اتم گرایانه فرایندهای کنترل کننده کیفیت فصل مشترک، هنگام رشد برآرایی پرتو مولکولی اهمیت خیلی زیادی دارد و شبیه سازی ابزار مناسبی برای فهم اثرات تنش و کرنش هنگام رشد و برای توصیف مکانیزمهسته بندی عیوب است. در این پایان نامه، شبیه سازی مونت کارلوی جنبشی با تقریب میدان نیروی والانس برای محاسبه انرژی کرنش در توصیف رشد غیر هم خانواده نیمه هادی های مرکب به وسیله برآرایی پرتو مولکولی استفاده شده است. همچنین شدت پراش الکترون پر انرژی در بازتاب با استفاده از یک مدل شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهند که در دما و آهنگ انباشت ثابت، با افزایش میزان ناخوانی، اندازه بلورک ها کوچک شده و تابع توزیع آنها تیز می شود. همچنین نتایج نشان می دهند که با افزایش دمای زیرلایه تابع توزیع در یک ناخوانی ثابت تیزتر می شود.
منابع مشابه
شبیه سازی تاثیر دمای زیرلایه به کمک مدل منطقه ای ساختاری برای رشد نانوساختارهای نیکل به روش مونت کارلو جنبشی
در این مقاله مرحلههستهبندی و رشد حجمینانو ساختارهای نیکل لایه نشانی شده تحت زاویه مایل ˚75- ˚85 با استفاده از روش مونت کارلو جنبشی شبیه سازی شد. تاثیر دمای زیرلایه بر شکل، اندازه و نحوه توزیع ستون ها نیز بررسی گردید. با تعریف سد پتانسیل موضعی و انرژی حرارتی تصادفی، رشد نانوساختارهای نیکل در سه منطقه دمایی که در محدوده 45/0T/Tm< (که T دمای زی...
متن کاملشبیه سازی رشد لایه های نازک اکسید روی به روش مونت کارلو
رشد برآراسته لایه های نازک یکی از مهمترین تکنیک های تولید ابزارهای الکترونیکی و اپتیکی است. در لایه های برآراسته ی هم خانواده وجود نقص در ساختار، موجب ایجاد کرنش در لایه ها می شود و تغییر شکل نانو ساختارها شدیدا به ساختار ریز آنها مانند نقایص، مرزدانه ها و سطح وابسته است. شبیه سازی کامپیوتری یک راه مناسب برای درک رفتار مواد در مقیاس اتمی است. اکسید روی یکی از مهمترین مواد در صنعت نیمرساناست که...
15 صفحه اولشبیه سازی رشد لایه های نازک تحت زاویه مایل به روش مونت کارلو
این مدل شبیه سازی از روش رو نشست با زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو استفاده شده است. مدل بکار رفته رشد، رشد بالستیک bd می باشد. شار ذرات فرودی تحت زاویه ای مشخص نسبت به نرمال سطح به سمت زیرلایه فرود می آیند. دو عامل فیزیکی الف) سایه اندازی و ب) محدودیت در تحرک پذیری ذرات فرودی باعث گردیده ساختارهای حاصل از این روش بصورت ستون های مجزا با اشکال مختلف که با فضاهای خالی از هم جدا شده اند، در...
15 صفحه اولمدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی
در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اراک - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023